Scielo RSS <![CDATA[Superficies y vacío]]> http://www.scielo.org.mx/rss.php?pid=1665-352120130004&lang=es vol. 26 num. 4 lang. es <![CDATA[SciELO Logo]]> http://www.scielo.org.mx/img/en/fbpelogp.gif http://www.scielo.org.mx <![CDATA[<b>Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores</b>]]> http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212013000400001&lng=es&nrm=iso&tlng=es En este trabajo se discute la utilización de un sistema de deposición de capas epitaxiales semiconductoras del tipo MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), distinto a los convencionales que utilizan arsina como precursor del arsénico. En el sistema de crecimiento utilizado se ha sustituido la arsina por arsénico elemental, el cual es fácilmente manejable, sin los peligros que presenta la manipulación de cilindros de alta presión de arsina. Como consecuencia de la sustitución de la arsina por arsénico sólido, la cinética de incorporación de las especies sobre la superficie de crecimiento es severamente modificada, de tal forma, que la incorporación de impurezas tales como carbono y oxígeno se incrementa, deteriorando de esta manera las propiedades físicas de los materiales crecidos. En este trabajo hacemos un estudio sobre los efectos del uso del arsénico como precursor, a la vez que presentamos los resultados obtenidos durante la elaboración de una estructura cuántica mediante este sistema no convencional. Para la evaluación de las características ópticas de las muestras se midió fotoluminiscencia a baja temperatura, la existencia del pozo cuántico está apoyada por mediciones del perfil de concentración mediante espectroscopia de masas de iones secundarios (SIMS), y por último, se presentan imágenes de microscopía de fuerza atómica (AFM) para el estudio de la rugosidad superficial.<hr/>In this work is discussed the use of a deposition system of semiconductor epitaxial layers of the MOCVD type (Metal Organic Chemical Vapour Deposition), different of the conventional ones that use arsine as arsenic precursor. In the growth system has replaced the arsine by elemental arsenic, which is more easily manageable without the hazards presented by the handling of high pressure cylinders of arsine. As a result of the substitution of the arsine by solid arsenic, the incorporation kinetic of the species on the growth surface is severely modified, of such way, that the impurities incorporation of such as carbon and oxygen is increased, deteriorating of this way the physical properties of the grown materials. In this work we make a study on the effects of the use of arsenic like precursor, at the same time as we presented the results obtained during the elaboration of a quantum structure by means of this nonconventional system. In order to evaluate the optical characteristics of the samples, it was measured low temperature photoluminescence, the existence of the quantum well is supported by depth profile measurements by secondary ion mass spectroscopy (SIMS), and finally atomic force microscopy (AFM) images are presented to evaluate the surface roughness. <![CDATA[<b>Electronic transitions in single and double quantum wells made of III-V compound semiconductors</b>]]> http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212013000400002&lng=es&nrm=iso&tlng=es In this work, we calculate the electronic inter-band transitions in low dimensional nanostructures employing the effective mass approximation. With the help of the well-known models of square quantum well (SQW) and the symmetric square double quantum well (DQW), we calculate the energy levels in nanostructures commonly grown by molecular beam epitaxy (MBE) of III-V compound semiconductors. We choose in our calculations quantum wells (QWs) made of heterostructures without strain such as GaAs/Al xGa1-xAs, as well as heterostructures where the strain is very important such as In xGa1-xAs/GaAs and InAs/GaAs. We present our results showing the electronic transition energy versus the well width in the SQW case, or versus the middle barrier width in the DQW case. A discussion about the wave functions in the SQW and its coupling in the DQW is included. <![CDATA[<b>Tribological evaluation of plasma nitride H13 steel</b>]]> http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212013000400003&lng=es&nrm=iso&tlng=es The influence of nitriding time and applied load in the friction-wear behaviour of an H13 steel has been studied. Weakly ionised plasma unit and a postdischarge plasma reactor were used for nitriding the H13 die steel with variations of nitriding time from 5h to 9h (at 500 °C). Optical microscopy and microhardness deep profiles of the nitrided layer were obtained for each nitriding time. Standard pin-on-disc wear test were conducted at ambient temperature (18-23 °C) and dry sliding. It was observed that the higher the nitriding time, the lower the friction coefficient variations and wear rate varied as a function of the applied load. Plastic deformation and abrasion wear resulted to be the main wear mechanism for short sliding distances, while for long sliding distances plastic deformation dominated the wear mechanism and to some extent oxidative wear. The compound layer (white layer) was central for wear and load capacity. <![CDATA[<b>Estudio del proceso de secado en un secador de halógeno de los granos de maíz</b> <b>nixtamalizados</b>]]> http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212013000400004&lng=es&nrm=iso&tlng=es Se analizó y ajustó el modelo asintótico a los datos experimentales del proceso de deshidratación de granos de maíz nixtamalizado a 50 °C en un analizador de humedad modelo HR83 Mettler-Toledo. Las muestras fueron granos de maíz con cocción alcalina de 0.8% Ca(OH)2 a 92 °C con y sin reposo en su agua de cocción a tiempos de 0, 2, 4, 6, y 8 h. La ecuación asintótica se ajustó adecuadamente con los datos experimentales y permitió calcular la velocidad de hidratación en función del tiempo con su primera derivada. Encontramos que la velocidad de hidratación decrece rápidamente con el incremento del tiempo de deshidratación.<hr/>Fitting the asymptotic model to experimental data of the dehydration process of processed corn grain at 50 °C in a moisture analyzer model HR83 Mettler-Toledo. The prepared corn grain samples with alkaline cooking of 0.8% Ca (OH)2 at 92 ° C with and without steeping time in its cooked water at times 0, 2, 4, 6, and 8 h. The asymptotic equation is properly fitted to the experimental data, which allowed calculate the rate of hydration versus time by using its first derivative. We found that the hydration rate decreases rapidly with increasing drying time. <![CDATA[<b>Síntesis de películas delgadas base Pb-Ti depositadas por el método de CVD-AA, caracterización cristalográfica y microestructural</b>]]> http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212013000400005&lng=es&nrm=iso&tlng=es Se depositaron películas delgadas de PbTiO3 (PT) a temperatura de 400°C en un sustrato de Pt/Ti/SiO2/Si <100&gt; por el método de depósito químico asistido por aerosol (CVD-AA) usando precursores organometálicos. Con el propósito de estabilizar la fase Perovskita, la película fue recocida a temperaturas de 550°C por 12 horas, en una atmósfera rica en Pb. Se realizaron análisis termogravimétricos de los precursores con la finalidad de conocer la temperatura teórica de depósito. La cristalinidad de la fase antes y después del recocido fue caracterizada por difracción de rayos-X a incidencia rasante. Por otro lado, también se realizó análisis microestructural por microscopias electrónicas de barrido (MEB) y de trasmisión (MET).<hr/>Thin films of PbTiO3 were deposited at a temperature of 400°C onto Pt/Ti/SiO2/Si <100&gt; substrates by the aerosol assisted CVD method using organometallic precursors. With the purpose of stabilizing and homogenizing the Perovskite phase, the films were annealed at 550°C, in a Pb-rich atmosphere, for 12 h. Thermogravimetric analysis of the precursors were performed to determine the theoretical temperature of deposition. The crystallinity of the phase before and after annealing was characterized by grazing incidence x-ray diffraction. Additionally, microstructural analysis using scanning (SEM) and transmission (TEM) electron microscopy was also performed.