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Pesquisa : GALVAN-ARELLANO, M. [Autor]
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 Castillo-Ojeda, R., Galván-Arellano, M. and Díaz-Reyes, J. Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores. Superf. vacío, 2013, vol.26, no.4, p.120-125. ISSN 1665-3521

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 Díaz-Reyes, J., Galván-Arellano, M. and Peña-Sierra, R. Raman scattering and electrical characterization of AlGaAs/GaAs rectangular and triangular barriers grown by MOCVD. Superf. vacío, Mar 2010, vol.23, no.1, p.13-16. ISSN 1665-3521
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 Galván-Arellano, M. et al. Estudio de las películas de paladio como barreras de difusión para contactos ohmicos en semiconductores III-V. Superf. vacío, 2005, vol.18, no.3, p.13-16. ISSN 1665-3521

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 Castillo Ojeda, R.S. et al. Growth and characterization of Cd1-X ZnX Te (0 ≤ x ≤ 1) nanolayers grown by isothermal closed space atomic layer deposition on GaSb and GaAs. Rev. mex. fis., June 2018, vol.64, no.3, p.206-215. ISSN 0035-001X

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 Díaz-Reyes, J. et al. Characterization of highly doped Ga0.86 In0.14As0.13Sb0.87 grown by liquid phase epitaxy. Rev. mex. fis., Feb 2017, vol.63, no.1, p.55-64. ISSN 0035-001X

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