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Búsqueda : ROSALES, P. [Autor]
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 Molina, J. et al. Memristance effect of metal-insulator-metal structures using Al2O3 film as active layer for emergent memory devices. Superf. vacío, 2014, vol.27, no.1, p.1-6. ISSN 1665-3521
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 Obregón, O. et al. Transistores de película delgada basados en óxido de Zinc por spray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura. Rev. mex. fis., Ago 2021, vol.67, no.4. ISSN 0035-001X

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 Domínguez, M.A. et al. Impact of planarized gate electrode in bottom-gate thin-film transistors. Rev. mex. fis., June 2016, vol.62, no.3, p.223-228. ISSN 0035-001X
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 Dominguez, M., Rosales, P. and Torres, A. Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors. Rev. mex. fis., Feb 2013, vol.59, no.1, p.62-65. ISSN 0035-001X
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