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Búsqueda : ACEVES, M. [Autor]
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 Flores Gracia, F. et al. Photoluminescence and cathodoluminescence characteristics of SiO2 and SRO films implanted with Si. Superf. vacío, 2005, vol.18, no.2, p.7-13. ISSN 1665-3521

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 Peykov, P., Diaz, T. and Aceves, M. Analyse of the lateral surface generation in MOS structures. Rev. mex. fis., 2004, vol.50, no.1, p.1-5. ISSN 0035-001X

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 Peykov, P., Carrillo, J. and Aceves, M. Influence of surface generation velocity and field-enhanced carrier generation on the measured generation lifetime and relaxation time constant in MOS structures. Rev. mex. fis., 2003, vol.49, no.2, p.150-154. ISSN 0035-001X

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