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Pesquisa : PEYKOV, P. [Autor]
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 Peykov, P., Diaz, T. and Aceves, M. Analyse of the lateral surface generation in MOS structures. Rev. mex. fis., 2004, vol.50, no.1, p.1-5. ISSN 0035-001X

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 Peykov, P., Carrillo, J. and Aceves, M. Influence of surface generation velocity and field-enhanced carrier generation on the measured generation lifetime and relaxation time constant in MOS structures. Rev. mex. fis., 2003, vol.49, no.2, p.150-154. ISSN 0035-001X

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 Peykov, P. et al. On the field enhanced carrier generation in MOS structures. Rev. mex. fis., June 2002, vol.48, no.3, p.235-238. ISSN 0035-001X

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